Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (484)
IXTQ50N25T Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50А 250В 60мОм [TO-3P] Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole
MMIX1F520N075T2 Полевой транзистор N-канальный 75В 500A 21-Pin Производитель: IXYS Corporation Корпус: 24-SMPD Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 500A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 830Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 545нКл Входная емкость: 41000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHD3N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHD5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount
SIHF5N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole
Новинка SIHF6N40D-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 6A Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Full Pack Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 311пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHF8N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.7 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 527пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1144пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG16N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG20N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2942пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG22N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 22 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 1938пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG25N40D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 25 А Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 170 мОм Мощность макс.: 278Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 88нКл Входная емкость: 1707пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHG32N50D-GE3 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A Производитель: Vishay Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 390Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 96нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1144пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP18N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 223Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2942пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHS36N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 36 А Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 446Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 3233пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHU3N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole
SPP20N60CFDXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"