Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1326)

BUK7240-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Входная емкость: 2293пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7277-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 18A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Входная емкость: 422пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7618-55,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 57A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7631-100E,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29.4нКл Входная емкость: 1738пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK764R0-55B,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 193A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 6776пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y12-40EX Транзистор полевой N-канальный 40В 52A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 52A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1039пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y38-100EX Полевой транзистор N-канальный 100В 30A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.9нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y7R6-40EX Транзистор полевой N-канальный 40В 79A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 79A Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм Мощность макс.: 94.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 26.2нКл Входная емкость: 1650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 50В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCA16N60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCA22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P(N) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCB36N60NTM Транзистор полевой N-канальный 600В 36A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCH22N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH25N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 25A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 126 мОм Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 3352пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCH47N60NF Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 45.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 45.8A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 368Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 157нКл Входная емкость: 6120пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP11N60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 299 мОм Мощность макс.: 94Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35.6нКл Входная емкость: 1505пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP13N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 13A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 258 мОм Мощность макс.: 116Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 39.5нКл Входная емкость: 1765пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP16N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 16A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 199 мОм Мощность макс.: 134.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP22N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FCP36N60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 36A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4785пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"