Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1580)

ATP302-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 115нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF1324WL Транзистор полевой N-канальный 24В 240A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 24В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 7630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF7769L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 375A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 74А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 11560пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFB8409 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 450нКл Входная емкость: 14240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFR2405 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 30 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2430пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR3607 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR3710ZTRL Полевой транзистор N-канальный 100В 56A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 2930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4010-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7P Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 110А, 10В Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 230нКл @ 10В Входная емкость: 9830пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4010-7TRL Транзистор полевой N-канальный 100В 190A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 380Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 9830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4410ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 58А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4820пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRL1404Z Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRL1404ZS Транзистор Auto Q101 Nкан 40В 180А [D2-PAK] Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 5В Входная емкость: 5080пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRL3705ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRL7736M2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 112A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] M4 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 179A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 67А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 150 µA Заряд затвора: 78нКл @ 4.5В Входная емкость: 5055пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLR014N Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 10 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 28Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 7.9нКл Входная емкость: 265пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRLR120N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 185 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 20нКл @ 5В Входная емкость: 440пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт.

Под заказ:

0 шт.

Аналоги:

196 шт.

Цена от:

от 158,42₽

AUIRLR2905 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 42 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

AUIRLR2905Z Транзистор полевой N-канальный 55В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

107 шт

Цена от:

от 251,76₽

AUIRLR3110Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 63A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 38А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 100 µA Заряд затвора: 48нКл @ 4.5В Входная емкость: 3980пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"