Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6822)

FDT86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86106LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 108 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86113LZ Транзистор полевой N-канальный 100В 3.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86244 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 128 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 395пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT86246 Транзистор полевой N-канальный 150В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 236 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 215пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV301N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 220мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 220мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.06В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 9.5пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

20 774 шт

Цена от:

от 4,07₽

Акция

FDV302P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 120мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 120мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 0.31нКл Входная емкость: 11пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV303N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 680мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 680мА Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 2.3нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

86 445 шт

Цена от:

от 4,53₽

FDV304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 25В 460мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 63пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDV305N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0,95А 0.04 Ом, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 900мА Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.5нКл Входная емкость: 109пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDWS86369-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 65А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDWS9508L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 80A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDWS9509L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 65А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY100PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 350 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 350мА Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY101PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 150 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY102PZ Транзистор полевой P-канальный 20В 830мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 830мА Сопротивление открытого канала: 500 мОм Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 3.1нКл Входная емкость: 135пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY2000PZ Полевой транзистор P-канальный 20В 0.35A 6-Pin SOT-563F лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563F Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 0.35A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY300NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 600 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDY301NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.2А 5 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDY302NZ Транзистор полевой N-канальный 20В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 446мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 1.1нКл Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"