Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (484)
IRFR4615PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 33A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 113 шт
Цена от:
от 62,18
Акция IRFR4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR4620TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR812TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3.6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 78Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 810пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR825PBF Транзистор полевой N-канальный 500В 6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 119Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1346пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR825TRPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 119Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1346пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS38N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43А 320Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 913 шт
Цена от:
от 153,46
Акция IRFS4115PBF Транзистор полевой N-канальный 150В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
441 шт
Цена от:
от 179,20
Акция IRFS4127PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 72А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 953 шт
Цена от:
от 126,23
Акция IRFS4227PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 62А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 405 шт
Цена от:
от 126,23
Акция IRFS4229PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 45А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 524 шт
Цена от:
от 203,29
IRFS4321PBF Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 83 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4460пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 77.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 146 шт
Цена от:
от 88,18
IRFS52N15DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 51 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 2770пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXFK80N60P3 Транзистор полевой N-канальный 600В 80A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 1300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 13100пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTA3N120 Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
IXTA3N120TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 3А 200Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-263 (IXTA) Напряжение исток-сток макс.: 1200В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.5 Ом Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IXTA50N25T Транзистор полевой N-канальный 250В 50А 400Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 400Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IXTH88N30P Транзистор полевой N-канальный 300В 88А 600Вт Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 88A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 600Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 6300пФ Тип монтажа: Through Hole
IXTK120N25P Транзистор полевой N-канальный 250В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 185нКл Входная емкость: 8000пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"