Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (374)
SI4840BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4840BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4842BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 28A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 6.25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3650пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4850EY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4850EY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI4874BDY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 3230пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4894BDY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.9A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1580пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 6.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1340пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI5476DU-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® ChipFet Single Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7113DN-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7113DN-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 100В 13.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13.2A Сопротивление открытого канала: 134 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 55нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7120ADN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7135DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 8650пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 464 шт
Цена от:
от 8,11
SI7308DN-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7308DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 665пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7309DN-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 19.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI7414DN-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7414DN-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 5.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7415DN-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 3.6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® 1212-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 100В 21A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 29.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19.5нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"