Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1580)
AOD482 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 50Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11А 23Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 415пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD508 MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252, (D-Pak) Напряжение исток-сток макс.: 30V Ток стока макс.: 22A (Ta), 70A (Tc) Сопротивление открытого канала: 3 mOhm @ 20A, 10V Мощность макс.: 2.5W Тип транзистора: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2V @ 250 µA Заряд затвора: 49nC @ 10V Входная емкость: 2010pF @ 15V Тип монтажа: Surface Mount
AOL1454 MOSFET N-CH 40V 12A 8ULTRASO Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: UltraSO-8[тм] Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1920пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
AOL1482 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A 8ULTRASO Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: UltraSO-8[тм] Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 37 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 10В Входная емкость: 2000пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
AON6234 Полевой транзистор N-канальный 40В 85A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2805пФ Тип монтажа: Surface Mount
AON6236 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 19A(Ta),30A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 4.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 26нКл @ 10В Входная емкость: 1225пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
AON6242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18.5A DFN5X6 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18.5A(Ta),85A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 72нКл @ 10В Входная емкость: 6370пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
AON6282 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 26.5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 26.5A(Ta),85A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 7.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 51нКл @ 10В Входная емкость: 2848пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount
AON6407 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 32A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A(Ta),85A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 7.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.6В @ 250 µA Заряд затвора: 105нКл @ 10В Входная емкость: 3505пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON6414A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1380пФ Тип монтажа: Surface Mount
AON6512 МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А, [DFN-8 5X6 EP] Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 54A(Ta),150A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 7.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 64нКл @ 10В Входная емкость: 3430пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON6558 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN-EP (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 1128пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON7254 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 17A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.5A(Ta),17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 54 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 4.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 675пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount
AON7296 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A(Ta),12.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 66 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В @ 250 µA Заряд затвора: 12нКл @ 10В Входная емкость: 415пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
AON7410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A(Ta),24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 12нКл @ 10В Входная емкость: 660пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON7422E Полевой транзистор N-канальный 30В 40A 8-Pin DFN-A EP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta),40A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2940пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AOTF409 Полевой транзистор P-канальный 60В 5.4A TO220FL Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-220FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A(Ta),24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.16Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 52нКл @ 10В Входная емкость: 2953пФ @ 30В Тип монтажа: Through Hole
ATP114-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A ATPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 55A(Ta) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 92нКл @ 10В Входная емкость: 4000пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
ATP301-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"