Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFSL7440PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-262
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 135нКл
Входная емкость: 4730пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL1404ZSPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 5080пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL40B209
Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195А
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IRL40T209ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 40В 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 586А
Тип транзистора: N-канальный
IRLR3114ZPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42А 140Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 42A
Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 3810пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS3034-7PPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK-7
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 180нКл
Входная емкость: 10990пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRLS3034PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 195A
Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 162нКл
Входная емкость: 10315пФ
Тип монтажа: Surface Mount
JMSL0402AKQ
Транзистор полевой MOSFET силовой 40В 211A 1.9мОм N-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 211А
Сопротивление открытого канала: 1.9мОм
Тип транзистора: N-канальный
JMTP130N04A
Транзистор полевой MOSFET силовой N-канальный 40В 10A
14.3Ом
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: SOP8
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 10А
Сопротивление открытого канала: 14.3Ом
Тип транзистора: N-канальный
NTD5802NT4G
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 16.4 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 16.4A
Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 5025пФ
Тип монтажа: Surface Mount
NVMFS5C426NWFAFT1G
Полевой транзистор N-канальный 40В 41A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 41A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
NVMYS8D0N04CTWG
MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 8.1 mOhm , 49 A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 49А
Сопротивление открытого канала: 8.1мОм
Тип транзистора: N-канальный
P2804BDG
Транзистор полевой N-канальный 40В 10А 42мОм 32Вт
Производитель: Noname
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 10А
Мощность макс.: 32Вт
Тип транзистора: N-канал
P4404EDG
Транзистор полевой P-канальный 40В 10А 30Вт
Производитель: NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 10А
Мощность макс.: 30 Вт
Тип транзистора: P-канал
P5504EDG
Транзистор полевой P-канальный 40В 21А 41Вт
Производитель: NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 21A
Мощность макс.: 41 Вт
Тип транзистора: P-канал
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.