Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (749)
DMN62D0UDW-7 Полевой транзистор N-канальный 60В 0.35A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 0.35A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
DMN65D8L-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.31A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.87нКл Входная емкость: 22пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP6110SFDF-7 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.5A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.5A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
DMP6180SK3-13 Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 984.7пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP6180SK3Q-13 Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 984.7пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMTH6010LPDQ-13 Полевой транзистор N-канальный 60В 13.1A автомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13.1A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
DMTH6016LPDQ-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.2A 8-Pin PowerDI EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.2А Тип транзистора: N-канальный
FDB024N06 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 395Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 226нКл Входная емкость: 14885пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB035AN06A0 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 6400пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB050AN06A0 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 245Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB070AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 80A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 175Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDB13AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 62A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 10.9A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC5612 Транзистор полевой N-канальный 60В 4.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 759пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC5661N_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 763пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD10AN06A0 Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 135Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 1840пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50А 13 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD14AN06LA0_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 2810пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD24AN06LA0_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 40 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD26AN06A0-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) TO-252AA лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"