Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6822)

FDH055N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 158A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 429Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 9445пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDH44N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 44A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 750Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 108нКл Входная емкость: 5335пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDH45N50F_F133 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 45 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 6630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDI045N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 263Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDI150N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 69нКл Входная емкость: 4760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

FDL100N50F Транзистор полевой N-канальный 500В 100A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO264 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2500Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 238нКл Входная емкость: 12000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDM3622 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1090пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA291P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA410NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 9.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1080пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA420NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 935пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA507PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 2015пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA510PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA520PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1645пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA530PZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 6.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.8A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA7632 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6

Сообщить о поступлении

FDMA7670 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MLP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA8051L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 1260пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA86551L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MicroFET (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 23 мОм @ 7.5А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 1235пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA905P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MLP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 3405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"