Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (6822)

FDD9407_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 6390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD9409_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFM2P110 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET 3x3mm Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2N028Z Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 455пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P029Z Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P853 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA3N109 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 123 мОм Мощность макс.: 650мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS2P106A Транзистор полевой P-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 714пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFS2P753Z Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8N

Сообщить о поступлении

FDFS6N548 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG311N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG312P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG315N Транзистор полевой N-канальный 30В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG316P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG327N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 380мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.3нКл Входная емкость: 423пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG327NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 380мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 412пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG328P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 337пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG332PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10.8нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG6317NZCEBU Производитель: ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

FDH047AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"