Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6822)
Акция FDD6635 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 35В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6637 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 35В 55А 3.1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 35В Ток стока макс.: 55А Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канальный
Акция FDD6637 Полевой транзистор, P-канальный, 35 В, 55 А, 3.1 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
FDD6670A Транзистор полевой N-канальный 30В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1755пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6680AS Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6685 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1715пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6688 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 84 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
FDD6690A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1.1 Ом Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N50FTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 19.8нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 900 мОм @ 3А, 10В Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 16.6нКл @ 10В Входная емкость: 9400пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N50TM-F085 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD6N50TM-WS Транзистор полевой N-канальный 500В 6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.6нКл Входная емкость: 9400пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD770N15A Транзистор полевой N-канальный 150В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 56.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 765пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD7N20TM Транзистор полевой N-канальный 200В 5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD7N25LZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2A DPAK-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 6.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 550 мОм @ 3.1А, 10В Мощность макс.: 56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 635пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
FDD7N60NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 730пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8444 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 145 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 145A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 153Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 6195пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8444L_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 153Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5530пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD8445 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4050пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"