Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)
Surface Mount (3522)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (484)

FQPF8N80CYDTU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.55 Ом Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2050пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF8N90C Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 6.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 1.9 Ом Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9N90CT Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 68Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 2730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQPF9P25 Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 620 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQT1N80TF_WS Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 20 Ом Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 7.2нКл Входная емкость: 195пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT2P25TF Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 0.55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 550мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT3P20TF Транзистор полевой P-канальный 200В 0.67A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 670мА Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT4N25TF Транзистор полевой N-канальный 250В 0.83A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT223-4 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 830мА Сопротивление открытого канала: 1.75 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQU2N100TU Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15.5нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU5N40TU Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6216PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 825 шт

Цена от:

от 49,67₽

IRF6217TRPBF Транзистор полевой P-канальный 150В 0.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6218STRLPBF Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 27 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6775MTRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MZ Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 1411пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF740BPBF Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 10 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 526пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7815PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1647пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 135 шт

Цена от:

от 78,52₽

Акция

IRF7820PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 3.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 1750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

868 шт

Цена от:

от 95,36₽

IRFB17N50LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16А, 220Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 220Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2760пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB20N50KPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А 280Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2870пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB4212PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 72.5 мОм Мощность макс.: 60Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"