Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1888)
Surface Mount(3523)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (374)

RFD3055LE Транзистор полевой N-канальный 60В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

RFD3055LESM9A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 107 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11.3нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1021R-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 190мА Производитель: Vishay Корпус: SC-75 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 190мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 250мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 1.7нКл Входная емкость: 23пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1302DL-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 600 мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 1.4нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI1480DH-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.7A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 155пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304BDS-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.6A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2304BDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.6A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 225пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2306BDS-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 30В 3.16A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2306BDS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 3.16A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.16A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2307BDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.5А 1.25Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2307CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.5A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2308BDS-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 156 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.3А 1.66Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 156 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 6.8нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2309CDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 1.2A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 345 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

722 шт

Цена от:

от 3,35₽

SI2309CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6А 1.7Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 345 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4.1нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

722 шт

Цена от:

от 3,35₽

SI2316BDS-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 4.5 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.66Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2318DS-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 40В 3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2319DS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 2.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3410DV-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 30В 8A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм Мощность макс.: 4.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 1295пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.7 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"