Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1326)

STW48NM60N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 44А 330Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 255Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 4285пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

69 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 346,61₽

STW70N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 68A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 68A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 450Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

66 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 329,75₽

TK6A60D (STA4,Q,M) Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 6А, 40Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220SIS (SC-67) Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 1.25 Ом Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

115 шт

Под заказ:

12 500 шт

Цена от:

от 47,00₽

2SK2420 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

2SK2865(TE16L1,NQ) Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2 А Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

2SK3700(F) Полевой транзистор, N-канальный, 900 В, 5 А Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1150пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AOD4126 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43А 50Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF1010ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А, 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF1324WL Транзистор полевой N-канальный 24В 240A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 24В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 7630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF1404 Транзистор полевой N-канальный 40В 202A Aвтомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 333Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 196нКл Входная емкость: 5669пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF1404S Транзистор полевой N-канальный 40В 202A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF1404ZS Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF2804S Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF2804S-7P Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 6930пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 311 шт

Цена от:

от 425,63₽

AUIRF2807 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3820пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3004WL Полевой транзистор N-канальный 40В 386A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3205ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3805 Транзистор полевой N-канальный 55В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7960пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRF3805L Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 160 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 290нКл Входная емкость: 7960пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"