Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1580)
2N7002K-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.38A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 380мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 370мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.3нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002K-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002K-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.35Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.6нКл Входная емкость: 30пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002KT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
39 148 шт
Цена от:
от 0,92
2N7002LT3G Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002P,235 Транзистор полевой N-канальный 60В 0.36A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 360мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 0.8нКл Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002T Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT523F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
2N7002W Транзистор полевой N-канальный 60В 115мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 50пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
59 467 шт
Цена от:
от 1,19
2N7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 0.7нКл Входная емкость: 24.5пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
59 467 шт
Цена от:
от 1,19
Акция 2SJ655 Транзистор полевой P-канальный 100В 12А 25Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 136 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 2090пФ Тип монтажа: Through Hole
2SK2399(TE16L1,NQ) Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 5 А Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
2SK2615(TE12L,F) Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2 А Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 300 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
2SK3480-AZ Полевой транзистор N-канальный 100В MP-25/TO-220 Производитель: RENESAS Electronics Corp. Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция 2SK3702 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18А 20Вт Производитель: Sanyo Semiconductors Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 775пФ Тип монтажа: Through Hole
AO3160 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.4 А Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 40мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 500 Ом @ 16mА, 10В Мощность макс.: 1.39Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.2В @ 8 µA Заряд затвора: 1.5нКл @ 10В Входная емкость: 15пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AO3407A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.1А 0.9Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 48 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
43 375 шт
Цена от:
от 2,55
AO3409 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6A SOT23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 130 мОм @ 2.6А, 10В Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 9нКл @ 10В Входная емкость: 370пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AO3434A Полевой транзистор N-канальный 30В 4A 3-Pin SOT-23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 245пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO3442 Транзистор полевой N-канальный 100В 1A 3-Pin SOT-23 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 630 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.9В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"