Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (358)
IPZ40N04S53R1ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 40A автомобильного применения 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IRF1404LPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 162A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 162A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 95А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 7360пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
Акция IRF1404SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 162A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7360пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
274 шт
Цена от:
от 69,53
IRF1404STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 162A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4 мОм @ 95А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 200нКл @ 10В Входная емкость: 7360пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
274 шт
Цена от:
от 66,04
IRF1404ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
400 шт
Цена от:
от 207,88
IRF2204SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 170A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 5890пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF2804LPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A TO-220-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 240нКл @ 10В Входная емкость: 6450пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
IRF2804S-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 6930пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF2804SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 240нКл Входная емкость: 6450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
25 шт
Цена от:
от 193,28
IRF40DM229 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 159А Тип транзистора: N-канальный
Акция IRF4104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF6613TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MT Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 23A(Ta),150A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм @ 23А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 4.5В Входная емкость: 5950пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
IRF6614TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] ST Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12.7A Сопротивление открытого канала: 8.3 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 2560пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF7240PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 9250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
30 566 шт
Цена от:
от 26,71
IRF7241PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 000 шт
Цена от:
от 54,55
Акция IRF7468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 2460пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
401 шт
Цена от:
от 107,15
Акция IRF7469PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 9А 2.5Вт, 0.012 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
7 818 шт
Цена от:
от 56,26
IRF7470PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 3430пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
10 490 шт
Цена от:
от 63,02
IRF7480MTRPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 217A 10-Pin Direct-FET ME лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DirectFET[тм] Isometric ME Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 217A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 185нКл Входная емкость: 6680пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"