Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
CSD19534Q5AT
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 8-VSON-FET (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 50A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В @ 250 µA
Заряд затвора: 22нКл @ 10В
Входная емкость: 1680пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
CSD19535KCS
Транзистор полевой N-канальный 100В
Производитель: Texas Instruments
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 150A
Сопротивление открытого канала: 3.6 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В
Заряд затвора: 101нКл
Входная емкость: 7930пФ
Тип монтажа: Through Hole
CSD19536KCS
Транзистор полевой N-канальный 100В
Производитель: Texas Instruments
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 150A
Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.2В
Заряд затвора: 153нКл
Входная емкость: 12000пФ
Тип монтажа: Through Hole
D15N10M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15A
Производитель: Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 15А
Тип транзистора: N-канальный
D18P10M
Транзистор полевой MOSFET Р-канальный 100В 18A 95мОм
Производитель: Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 18А
Сопротивление открытого канала: 95мОм
Тип транзистора: P-канальный
D70N10M
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A 8.5мОм быстродействующий
Производитель: Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 73А
Сопротивление открытого канала: 8.5мОм
Тип транзистора: N-канальный
DMN10H220L-7
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A SOT-23
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.4A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 220 мОм @ 1.6А, 10В
Мощность макс.: 1.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 8.3нКл @ 10В
Входная емкость: 401пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
DMP10H400
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.3А
Тип транзистора: P-канальный
DMP10H400SK3-13
Транзистор полевой P-канальный 100В 9A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 240 мОм
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 17.5нКл
Входная емкость: 1239пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMT10H015L
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9.4А
Тип транзистора: N-канальный
FDB035N10A
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм
Мощность макс.: 333Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 116нКл
Входная емкость: 7295пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB047N10
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A
Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 210нКл
Входная емкость: 15265пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB120N10
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 74 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 74A
Сопротивление открытого канала: 12 мОм
Мощность макс.: 170Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 86нКл
Входная емкость: 5605пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB150N10
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 57 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 57A
Сопротивление открытого канала: 15 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 69нКл
Входная емкость: 4760пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB3632
Транзистор полевой N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 12A
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Мощность макс.: 310Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 6000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB3652
Транзистор полевой N-канальный 100В 61A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 16 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 53нКл
Входная емкость: 2880пФ
Тип монтажа: Surface Mount
FDB3682
Транзистор полевой N-канальный 100В 6A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 36 мОм
Мощность макс.: 95Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 28нКл
Входная емкость: 1250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.