Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (749)
BUK9M24-60EX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A автомобильного применения 8-Pin LFPAK EP лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 32А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y25-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 34A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 34A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 21.5 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 65Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 12нКл @ 5В
Входная емкость: 1500пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y43-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 22A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 22A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 41 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 8.2нКл @ 5В
Входная емкость: 880пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y4R8-60E,115
Транзистор полевой N-канальный 60В 100A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 238Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 50нКл @ 5В
Входная емкость: 7853пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y59-60E,115
Полевой транзистор N-канальный 60В LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 16.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 52 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 6.1нКл @ 5В
Входная емкость: 715пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y6R0-60E,115
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A
Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм
Мощность макс.: 195Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 39.4нКл
Входная емкость: 6319пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y8R7-60E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 86A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 147Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 31нКл @ 5В
Входная емкость: 4570пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
CJ2309
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2мА, 0.35Вт
Производитель: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 2мА
Мощность макс.: 0.35Вт
Тип транзистора: P-канальный
CJ2309A
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.6A 190мОм
Производитель: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.6А
Сопротивление открытого канала: 190мОм
Тип транзистора: P-канальный
CPC3701CTR
Полевой транзистор N-канальный 60В 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: SOT-89-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канальный
Особенности: Depletion Mode
Тип монтажа: Surface Mount
CPH3351-TL-W
Транзистор полевой P-канальный 60В 1.8A 3-Pin CPH лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.8A
Тип транзистора: P-канал
CPH6354-TL-W
Полевой транзистор P-канальный -60В -4A 100мОм
Производитель: ON Semiconductor
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 4A
Тип транзистора: P-канал
CPH6445-TL-W
Полевой транзистор N-канальный 60В 3.5A 6-Pin CPH лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: 6-CPH
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 3.5A
Сопротивление открытого канала: 117 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive
Заряд затвора: 6.8нКл
Входная емкость: 310пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18531Q5A
Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 19A(Ta),100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 22А, 10В
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В @ 250 µA
Заряд затвора: 43нКл @ 10В
Входная емкость: 3840пФ @ 30В
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18532KCS
Полевой транзистор N-канальный 60В 100A TO220-3
Производитель: Texas Instruments
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.: 216Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA
Заряд затвора: 53нКл @ 10В
Входная емкость: 4680пФ @ 30В
Тип монтажа: Through Hole
CSD18533Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 17 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 2750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18534Q5AT
Транзистор полевой N-канальный 60В
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 1770пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18535KTTT
Производитель: Texas Instruments
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 200А
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
CSD18537NKCS
Транзистор полевой N-канальный 60В 50A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Сопротивление открытого канала: 14 мОм
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 1480пФ
Тип монтажа: Through Hole
CSD18537NQ5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A VSONP-8
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 8-SON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 11A(Ta),50A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 18нКл @ 10В
Входная емкость: 1480пФ @ 30В
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара