Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRLI640GPBF
Транзистор полевой N-канальный 200В 9.9A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 9.9A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 66нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXFR140N20P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 90A ISOPLUS 247
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 90А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
IXTA60N20T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 60А 500Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-263 (IXTA)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 60A
Мощность макс.: 500Вт
Тип транзистора: N-канал
IXTP26P20P
Транзистор полевой P-канальный 200В 26А 300Вт
Производитель: Littelfuse
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 170 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2740пФ
Тип монтажа: Through Hole
JMSH2010BE-13
Транзистор полевой MOSFET силовой 200В 129A 9.1мОм N-канальный
Производитель: Jiangsu JieJie Microelectronics Co., Ltd.
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 129А
Сопротивление открытого канала: 9.1мОм
Тип транзистора: N-канальный
PHP20NQ20T,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 20A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 130 мОм
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 65нКл
Входная емкость: 2470пФ
Тип монтажа: Through Hole
PSMN102-200Y,115
Транзистор полевой N-канальный 200В 21.5A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 21.5A
Сопротивление открытого канала: 102 мОм
Мощность макс.: 113Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 30.7нКл
Входная емкость: 1568пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI4464DY-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 240 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4464DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 240 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4490DY-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 2.85A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 1.56Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 42нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI4490DY-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.85 А
Производитель: Vishay
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 2.85A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 1.56Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 42нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7119DN-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 200В 3.8A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом
Мощность макс.: 52Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 666пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SI7431DP-T1-E3
Транзистор полевой P-канальный 200В 2.2A
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 2.2A
Сопротивление открытого канала: 174 мОм
Мощность макс.: 1.9Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 135нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7450DP-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.2 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 1.9Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 42нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7464DP-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.8 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 240 мОм
Мощность макс.: 1.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7820DN-T1-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 240 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SI7820DN-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.7A
Сопротивление открытого канала: 240 мОм
Мощность макс.: 1.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 18нКл
Тип монтажа: Surface Mount
SIA456DJ-T1-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.6 А
Производитель: Vishay
Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 2.6A
Сопротивление открытого канала: 1.38 Ом
Мощность макс.: 19Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В
Заряд затвора: 14.5нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STB19NF20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом 90Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 24нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.