Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (264)
SIHP14N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 1144пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP18N50C-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 18A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 270 мОм Мощность макс.: 223Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2942пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHP5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHS36N50D-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 36 А Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 446Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 125нКл Входная емкость: 3233пФ Тип монтажа: Through Hole
SIHU3N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом Мощность макс.: 69Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 175пФ Тип монтажа: Through Hole
SPA21N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 21А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
SPB21N50C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 21А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
SPP04N50C3XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 500В 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Through Hole
SPW21N50C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 21А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STB11NK50ZT4 Транзистор полевой N-канальный 500В 10А 125Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 520 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 1390пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция STB20NK50Z Транзистор полевой N-канальный 500В 17А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 17A Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал
STB32NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 22A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62.5нКл Входная емкость: 1973пФ Тип монтажа: Surface Mount
STB9NK50ZT4 Транзистор полевой N-канальный 500В 7.2A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 850 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD10NM50N Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 7 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 630 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD12N50M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 10А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
STD14NM50NAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 320 мОм Мощность макс.: 90Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD16N50M2 MOSFET N-CH 500V 13A DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 280 мОм @ 6.5А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 19.5нКл @ 10В Входная емкость: 710пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount
STD4NK50Z-1 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole
STD4NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD5NM50AG MOSFET N-CH 500V 7.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 7.5A Тип транзистора: N-канальный Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"