Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (242)
Акция STP45N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 35А 208Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 35A(Tc) Сопротивление открытого канала: 78 мОм @ 19.5А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 3375пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STP57N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 42A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STP8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7А 0.56 Ом, 25Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Through Hole
STU12N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция STU8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Through Hole
STW28N65M2 Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
STW30N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A(Tc) Сопротивление открытого канала: 139 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 64нКл @ 10В Входная емкость: 2880пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STW31N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 22A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 148 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Through Hole
STW34N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 28A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 62.5нКл Входная емкость: 2700пФ Тип монтажа: Through Hole
STW38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
STW42N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 33А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4650пФ Тип монтажа: Through Hole
STW45N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3375пФ Тип монтажа: Through Hole
STW45NM60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 45A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 134нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Through Hole
STW57N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 42 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
STW62N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 49 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 142нКл Входная емкость: 6420пФ Тип монтажа: Through Hole
STW69N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 58A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 143нКл Входная емкость: 6420пФ Тип монтажа: Through Hole
STW78N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 69A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 69A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 450Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 203нКл Входная емкость: 9000пФ Тип монтажа: Through Hole
STY139N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 130А 0.014 Ом, 625Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 130A Сопротивление открытого канала: 17 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 363нКл Входная емкость: 15600пФ Тип монтажа: Through Hole
STY145N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 138A Производитель: ST Microelectronics Корпус: MAX247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 138A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 414нКл Входная емкость: 18500пФ Тип монтажа: Through Hole
TK14A65W,S5X(M Полевой транзистор N-канальный 650В 13.7А TO-220SIS Производитель: Toshiba Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 13.7А Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"