Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (775)
BSL306NH6327XTSA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 2.3A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.3A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSL307SPH6327XTSA1 Полевой транзистор P-канальный 30В 5.5A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.5A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
BSL308PEH6327XTSA1 Транзистор полевой 2P-канальный 30В 2A 6TSOP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Тип транзистора: 2P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BSO110N03MSGXUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-Pin DSO лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSO220N03MDG Транзистор полевой 2N-канальный 30В 6A 8DSO Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Тип транзистора: 2N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BSP250,135 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 250 мОм Мощность макс.: 1.65Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 040 шт
Цена от:
от 30,27
BSS306NH6327XTSA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 2.3A SOT-23-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.3A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSS308PEH6327XTSA1 Транзистор полевой P-канальный 30В 2A SOT23 Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSS314PEH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.5А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BSZ0506NSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BSZ088N03MSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2100пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSZ0901NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 25A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 2850пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount
BSZ100N03MSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 10A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSZ130N03LSGATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 35A 8-Pin TSDSON EP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 35A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSZ180P03NS3EGATMA1 Транзистор полевой P-канальный 30В 39.6A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.6A Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount
CPH6350-TL-W Транзистор полевой P-канальный 30В 6A 6-Pin CPH лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-CPH Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 43 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 4V Drive Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17302Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 87 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17306Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В Заряд затвора: 15.3нКл Входная емкость: 2170пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD17307Q5A Транзистор полевой N-канальный 30В 73A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 5.2нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"