Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (281)

IRFR5505TRLPBF Транзистор полевой P-канальный 55В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 718 шт

Цена от:

от 24,77₽

Акция

IRFR9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.8А 42Вт, 0.28 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

308 554 шт

Цена от:

от 11,71₽

IRFR9024NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 175 мОм Мощность макс.: 38Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

308 554 шт

Цена от:

от 11,71₽

IRFU1205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A(Tc) Сопротивление открытого канала: 27 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 65нКл @ 10В Входная емкость: 1300пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU2405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 56A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 34А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 110нКл @ 10В Входная емкость: 2430пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU4105ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 55В 30A 3-Pin(3+Tab) IPAK туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 30А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU5505PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFZ34NSPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 29A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ34NSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ34NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 29A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 29A(Tc) Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 34нКл @ 10В Входная емкость: 700пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ44NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 110Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 1470пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 299 шт

Цена от:

от 66,86₽

IRFZ44ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм @ 31А, 10В Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 1420пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ44ZSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ44ZSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.9 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 1420пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFZ46NLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 53A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 53A(Tc) Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм @ 28А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 72нКл @ 10В Входная емкость: 1696пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFZ46ZSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 51A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 51A Сопротивление открытого канала: 13.6 мОм Мощность макс.: 82Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1460пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFZ48NSPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 64А 130Вт, 0.014 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 64A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 81нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 000 шт

Цена от:

от 100,13₽

Акция

IRL2505SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 104A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 5000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

271 шт

Цена от:

от 451,89₽

IRL3705ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 52А, 10В Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 60нКл @ 5В Входная емкость: 2880пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3705ZPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"