Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (716)

BUK7628-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 47A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 28 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 166Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Входная емкость: 3100пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7631-100E,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 29.4нКл Входная емкость: 1738пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7K134-100EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Тип транзистора: N-канальный Особенности: Standard Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK7Y38-100EX Полевой транзистор N-канальный 100В 30A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 95Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.9нКл Входная емкость: 1720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9230-100B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 3805пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9240-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 38.6 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Входная емкость: 3072пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9275-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 21.7A DPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 21.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 72 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 88Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 1690пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9615-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 8600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9637-100E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A(Tc) Сопротивление открытого канала: 36 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 22.8нКл @ 5В Входная емкость: 2681пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9640-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 39A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 158Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 3072пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK98180-100A/CUX Транзистор полевой N-канальный 100В 4.6A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.6A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9875-100A/CUX Транзистор полевой N-канальный 100В 7A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SC-73 лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive

Сообщить о поступлении

BUK9Y104-100B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.8A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14.8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 99 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 59Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.15В @ 1mA Заряд затвора: 11нКл @ 5В Входная емкость: 1139пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y38-100E,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 30A(Tc) Сопротивление открытого канала: 38 мОм @ 5А, 5В Мощность макс.: 94.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA Заряд затвора: 21.6нКл @ 5В Входная емкость: 2541пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BUK9Y53-100B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A LFPAK Производитель: NEXPERIA Корпус: LFPAK56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A(Tc) Сопротивление открытого канала: 49 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Заряд затвора: 18нКл @ 5В Входная емкость: 2130пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 170мА Сопротивление открытого канала: 6 Ом Мощность макс.: 225мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Входная емкость: 20пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19531KCS Транзистор полевой N-канальный 100В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 7.7 мОм Мощность макс.: 179Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 3870пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD19532Q5BT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 11.1 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD19534Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 50A(Ta) Сопротивление открытого канала: 15.1 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1680пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"