Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6822)
CSD18509Q5B Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R Производитель: Texas Instruments
CSD18509Q5BT Полевой транзистор N-канальный 40В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 1.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 13900пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18531Q5A Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 19A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм @ 22А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В @ 250 µA Заряд затвора: 43нКл @ 10В Входная емкость: 3840пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
CSD18532KCS Полевой транзистор N-канальный 60В 100A TO220-3 Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 216Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 53нКл @ 10В Входная емкость: 4680пФ @ 30В Тип монтажа: Through Hole
CSD18533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 17 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2750пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18534Q5AT Транзистор полевой N-канальный 60В Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9.8 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18535KTTT Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200А Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
CSD18537NKCS Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD18537NQ5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A VSONP-8 Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-SON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 12А, 10В Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 18нКл @ 10В Входная емкость: 1480пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount
CSD18537NQ5AT Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 75Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18540Q5B Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 60В 100А 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
CSD18540Q5B Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments
CSD18540Q5BT Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin VSON-CLIP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
CSD18541F5 Полевой транзистор N-канальный 60В 2.2A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments
CSD18543Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: VSONP-8 (3.3 mm x 3.3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
CSD18563Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 96 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD18563Q5AT Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 6.8 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1500пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD19531KCS Транзистор полевой N-канальный 100В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 7.7 мОм Мощность макс.: 179Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 3870пФ Тип монтажа: Through Hole
CSD19532Q5BT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A Производитель: Texas Instruments Корпус: 8-VSON-FET (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
CSD19533Q5A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 100 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8EP Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 11.1 мОм Мощность макс.: 3.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"