Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (390)

FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 7.2нКл @ 10В Входная емкость: 195пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU20N06LTU Транзистор полевой N-канальный 60В 17.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU2N100TU Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 15.5нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU2N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU5N40TU Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 3.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 460пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQU5N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF3717PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 20А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 33нКл Входная емкость: 2890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3717TRPBF Полевой транзистор N-канальный 20В 20A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 20A(Ta) Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В @ 250 µA Заряд затвора: 33нКл @ 4.5В Входная емкость: 2890пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 195нКл Входная емкость: 8555пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF6201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 27A 2,5Вт 0,00245Ом SO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 27A(Ta) Сопротивление открытого канала: 2.45 мОм @ 27А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 100 µA Заряд затвора: 195нКл @ 4.5В Входная емкость: 8555пФ @ 16В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF6216PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 2.2A 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 1280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

5 569 шт

Цена от:

от 44,88₽

IRF6217TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 0.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 2.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 906 шт

Цена от:

от 38,73₽

Акция

IRF7204PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3А 2.5Вт, 0.06 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 860пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 471 шт

Цена от:

от 14,37₽

Акция

IRF7205PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт, 0.07 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.6A Сопротивление открытого канала: 70 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 957 шт

Цена от:

от 29,61₽

Акция

IRF7240PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 10.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 9250пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

30 566 шт

Цена от:

от 26,71₽

IRF7241PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.2A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 000 шт

Цена от:

от 54,55₽

IRF7401PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8.7A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

7 729 шт

Цена от:

от 47,59₽

IRF7402TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.8A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 4.1А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 4.5В Входная емкость: 650пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7403PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 464 шт

Цена от:

от 69,43₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"