Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (484)
FQD5P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 430пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD6N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 5.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD9N25TM Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQH8N100C Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.45 Ом Мощность макс.: 225Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 3220пФ Тип монтажа: Through Hole
FQI27N25TU Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 25.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole
FQI4N80TU Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole
FQL40N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 460Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQP12P20 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 120Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP14N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 14.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 14.4A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1360пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP19N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 19.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 19.4A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP22N30 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 21А 170Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 160 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP27N25 Транзистор полевой N-канальный 250В 25.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25.5A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 65нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP2N90 Транзистор полевой N-канальный 900В 2.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 7.2 Ом Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP34N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 31A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP3N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP3N80C Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом Мощность макс.: 107Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 16.5нКл Входная емкость: 705пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP3P20 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Through Hole
FQP4N80 Транзистор полевой N-канальный 800В 3.9A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 130Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"