Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole(1889)
Surface Mount(3522)
Chassis Mount(4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (226)

IXTT1N450HV Транзистор полевой N-канальный 4500В 1A TO268 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-268AA Напряжение исток-сток макс.: 4500В (4.5kВ) Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 85 Ом @ 50mА, 10В Мощность макс.: 520Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 6.5В @ 250 µA Заряд затвора: 40нКл @ 10В Входная емкость: 1730пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTT6N120 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268 Производитель: IXYS Corporation Корпус: TO-268AA Напряжение исток-сток макс.: 1200В (1.2kВ) Ток стока макс.: 6A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.6 Ом @ 3А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 56нКл @ 10В Входная емкость: 1950пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN016-100BS,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 57A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A(Tj) Сопротивление открытого канала: 16 мОм @ 15А, 10В Мощность макс.: 148Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 49нКл @ 10В Входная емкость: 2404пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN025-100D,118 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 47A(Tc) Сопротивление открытого канала: 25 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 61нКл @ 10В Входная емкость: 2600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPP24N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24.3A TO-220 Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 24.3A(Tc) Сопротивление открытого канала: 160 мОм @ 15.4А, 10В Мощность макс.: 240Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 1.2mA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 3000пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STB12NK80ZT4 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 750 мОм @ 5.25А, 10В Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 100 µA Заряд затвора: 87нКл @ 10В Входная емкость: 2620пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB40NF20 MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK Производитель: ST Microelectronics Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 40A(Tc) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 75нКл @ 10В Входная емкость: 2500пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD16N50M2 MOSFET N-CH 500V 13A DPAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 280 мОм @ 6.5А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 19.5нКл @ 10В Входная емкость: 710пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF10N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 8A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 800 мОм @ 4А, 10В Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 630пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF12N65M5 MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 430 мОм @ 4.3А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 900пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF18NM80 MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 295 мОм @ 8.5А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 70нКл @ 10В Входная емкость: 2070пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF30N10F7 MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 24 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 19нКл @ 10В Входная емкость: 1270пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF40N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 34A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 34A(Tc) Сопротивление открытого канала: 88 мОм @ 17А, 10В Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 57нКл @ 10В Входная емкость: 2500пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF5N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 3.7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 3.7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом @ 1.85А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 4.5нКл @ 10В Входная емкость: 165пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF6N65K3 MOSFET N-CH 650V 5.4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5.4A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом @ 2.8А, 10В Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 880пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF7N65M2 MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом @ 2.5А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 9нКл @ 10В Входная емкость: 270пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF7N95K3 MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 950В Ток стока макс.: 7.2A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом @ 3.6А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 100 µA Заряд затвора: 33нКл @ 10В Входная емкость: 1031пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF8N65M5 MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 3.5А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 690пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STF9N60M2 MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 5.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 780 мОм @ 3А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 10нКл @ 10В Входная емкость: 320пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STI4N62K3 MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK Производитель: ST Microelectronics Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 620В Ток стока макс.: 3.8A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2 Ом @ 1.9А, 10В Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 550пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"