Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (226)
IXTT1N450HV
Транзистор полевой N-канальный 4500В 1A TO268
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-268AA
Напряжение исток-сток макс.:
4500В (4.5kВ)
Ток стока макс.:
1A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
85 Ом @ 50mА, 10В
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
6.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 10В
Входная емкость:
1730пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IXTT6N120
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1200В 6A TO-268
Производитель:
IXYS Corporation
Корпус:
TO-268AA
Напряжение исток-сток макс.:
1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.:
6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.6 Ом @ 3А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
56нКл @ 10В
Входная емкость:
1950пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN016-100BS,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 57A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A(Tj)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.:
148Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
49нКл @ 10В
Входная емкость:
2404пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN025-100D,118
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
61нКл @ 10В
Входная емкость:
2600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
SPP24N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24.3A TO-220
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24.3A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
160 мОм @ 15.4А, 10В
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В @ 1.2mA
Заряд затвора:
135нКл @ 10В
Входная емкость:
3000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
STB12NK80ZT4
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10.5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
10.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
750 мОм @ 5.25А, 10В
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 100 µA
Заряд затвора:
87нКл @ 10В
Входная емкость:
2620пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
40A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
45 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
160Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
75нКл @ 10В
Входная емкость:
2500пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
STD16N50M2
MOSFET N-CH 500V 13A DPAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
13A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
280 мОм @ 6.5А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
19.5нКл @ 10В
Входная емкость:
710пФ @ 100В
Тип монтажа:
Surface Mount
STF10N95K5
Транзистор полевой N-канальный 950В 8A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
800 мОм @ 4А, 10В
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
630пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STF12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
8.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
430 мОм @ 4.3А, 10В
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
900пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STF18NM80
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
17A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
295 мОм @ 8.5А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
70нКл @ 10В
Входная емкость:
2070пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
STF30N10F7
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
24 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
19нКл @ 10В
Входная емкость:
1270пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
STF40N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 34A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
34A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
88 мОм @ 17А, 10В
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
57нКл @ 10В
Входная емкость:
2500пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STF5N60M2
Транзистор полевой N-канальный 600В 3.7A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
3.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом @ 1.85А, 10В
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
4.5нКл @ 10В
Входная емкость:
165пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STF6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5.4A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом @ 2.8А, 10В
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 50 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
880пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
STF7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.15 Ом @ 2.5А, 10В
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
9нКл @ 10В
Входная емкость:
270пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STF7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
950В
Ток стока макс.:
7.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
1.35 Ом @ 3.6А, 10В
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 100 µA
Заряд затвора:
33нКл @ 10В
Входная емкость:
1031пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STF8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
600 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.:
25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 10В
Входная емкость:
690пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STF9N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
5.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
780 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.:
20Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
10нКл @ 10В
Входная емкость:
320пФ @ 100В
Тип монтажа:
Through Hole
STI4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
I2PAK
Напряжение исток-сток макс.:
620В
Ток стока макс.:
3.8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2 Ом @ 1.9А, 10В
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 50 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
550пФ @ 50В
Тип монтажа:
Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара