Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (264)

Акция

IRFS4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 144Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 77.5 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 602 шт

Цена от:

от 100,49₽

IRFSL4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72A TO-262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 22 мОм @ 44А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 150нКл @ 10В Входная емкость: 5380пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU13N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 13A I-PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 13A(Tc) Сопротивление открытого канала: 235 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA Заряд затвора: 38нКл @ 10В Входная емкость: 830пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU210PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFU220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9210PBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFU9220PBF Транзистор полевой P-канальный 200В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL620PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 5.2 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL620SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL620STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 360пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL630PBF Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 74Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL630SPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL630STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL630STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9A Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640A Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1705пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL640PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А, 125Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL640SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт, 0.18 Ом Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 17А 3.1Вт Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL640STRRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 17A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"