Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
IRFSL11N50APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-262-3
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 51нКл
Входная емкость: 1426пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU420APBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3А 83Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3.3A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRFU420PBF
Транзистор полевой N-канальный 500В 2.4А 42Вт
Производитель: Vishay
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXFH26N50P
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 26А 400Вт
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-247AD (IXFH)
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 26A
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 400Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 3600пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXTP10P50P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 10A TO-220
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 10A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 1 Ом @ 5А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 50нКл @ 10В
Входная емкость: 2840пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
IXTP3N50D2
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3А
Тип транзистора: N-канальный
IXTQ460P2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 24А 480Вт
Производитель: Littelfuse
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 480Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 2890пФ
Тип монтажа: Through Hole
IXTY1R6N50D2
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 1.6A DPAK
Производитель: IXYS Corporation
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 1.6A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 2.3 Ом @ 800mА, 0В
Мощность макс.: 100Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Depletion Mode
Заряд затвора: 23.7нКл @ 5В
Входная емкость: 645пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
MTP2P50EG
Полевой транзистор, P-канальный, 500 В, 2 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 6 Ом
Мощность макс.: 75Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 1183пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHD3N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 3 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 3.2 Ом
Мощность макс.: 69Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 12нКл
Входная емкость: 175пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHD5N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А
Производитель: Vishay
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 104Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 325пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SIHF5N50D-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5.3A
Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
Мощность макс.: 30Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 325пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHF8N50D-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 8.7 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 8.7A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 33Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 527пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHFB20N50K-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20А TO220AB
Производитель: Vishay
Корпус: TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Through Hole
SIHG14N50D-GE3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 58нКл
Входная емкость: 1144пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHG16N50C-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 16A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1900пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHG20N50C-E3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247AC
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 270 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 76нКл
Входная емкость: 2942пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHG22N50D-E3
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 22 А
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 312Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 1938пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHG32N50D-E3
Транзистор полевой N-канальный 500В 30A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 390Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 96нКл
Входная емкость: 2550пФ
Тип монтажа: Through Hole
SIHG32N50D-GE3
Транзистор полевой N-канальный 500В 30A
Производитель: Vishay
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 150 мОм
Мощность макс.: 390Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 96нКл
Входная емкость: 2550пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.