Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (358)
FDMS9409-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 65A автомобильного применения 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 65А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
FDP8447L Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2500пФ Тип монтажа: Through Hole
FDS4141 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2670пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS4480 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 10.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10.8A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1686пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS4672A Транзистор полевой N-канальный 40В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 4766пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS4675 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 11 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 4350пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS4685 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 8.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.2A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1872пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS8447 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12.8A Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 49нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS8449 Транзистор полевой N-канальный 40В 7.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS8638 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 5680пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS8840NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18.6A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 144нКл Входная емкость: 7535пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDS8842NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 14.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 3845пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDWS9508L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 80A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 80А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
FDWS9509L-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 65A автомобильного применения 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 65А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPB015N04LGATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
IPB015N04NGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
IPB120N04S401ATMA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 120A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
IPB120N04S402ATMA1 Полевой транзистор N-канальный 40В 120A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
IPB180N04S4H0ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 40В 180A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-7-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 180A Сопротивление открытого канала: 1.1 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 17940пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPB180P04P4L02ATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 180A автомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 180А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"