Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
AUIRFS3206TRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 210A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 170нКл @ 10В
Входная емкость: 6540пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44VZS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 57A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 92Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1690пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ44VZSTRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 57A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 12 мОм @ 34А, 10В
Мощность макс.: 92Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 65нКл @ 10В
Входная емкость: 1690пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRLS3036-7P
Транзистор полевой N-канальный 60В 300A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 240A
Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 160нКл
Входная емкость: 11270пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BBS3002-DL-1E
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 100А
Тип транзистора: P-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BS170
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5А 0.83Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170FTA
Транзистор полевой N-канальный 60В 150мА
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 150мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 330мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 60пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BS170_D26Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170_D27Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS170_D74Z
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500MA TO-92
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Тип транзистора: N-канальный
BS170_D75Z
Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Through Hole
BS270
Транзистор полевой N-канальный 60В 400мА
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 2 Ом
Мощность макс.: 625мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Through Hole
BSC014N06NSATMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 1.45 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 89нКл
Входная емкость: 6500пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSC016N06NS
Транзистор полевой N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм
Мощность макс.: 139Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 5200пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSC028N06LS3G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TDSON-8/ SuperSO8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 23А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSC028N06LS3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 23A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TDSON-8/ SuperSO8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 23А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSC039N06NS
Полевой транзистор N-канальный 60В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TDSON-8 FL
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 69Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 2000пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSC067N06LS3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 50A TDSON-8
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TDSON-8/ SuperSO8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 50A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
BSC100N06LS3GATMA1
Полевой транзистор N-канальный 60В 12A серия OPTIMOS3 TDSON8
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 12A
Тип транзистора: N-канал
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.