Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
CSD16403Q5A
Транзистор полевой N-канальный 25В 100A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 28A
Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 2660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD16404Q5A
Транзистор полевой N-канальный 25В 81A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 8.5нКл
Входная емкость: 1220пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD16406Q3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON-8
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 19A
Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В
Заряд затвора: 8.1нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD16407Q5
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 100 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 31A
Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 2660пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD16409Q3
Транзистор полевой N-канальный 25В 60A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 8.2 мОм
Мощность макс.: 2.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 5.6нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD16411Q3
Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 56 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: 8-VSON (3.3x3.3)
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 3.8нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD16413Q5A
Транзистор полевой N-канальный 25В 100A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 25В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 3.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.9В
Заряд затвора: 11.7нКл
Входная емкость: 1780пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17301Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 28 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
CSD17302Q5A
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 87 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В
Заряд затвора: 7нКл
Входная емкость: 950пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17303Q5
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON-8
CSD17306Q5A
Транзистор полевой N-канальный 30В 100A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 24A
Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В
Заряд затвора: 15.3нКл
Входная емкость: 2170пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17307Q5A
Транзистор полевой N-канальный 30В 73A
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8EP
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 14A
Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Заряд затвора: 5.2нКл
Входная емкость: 700пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17308Q3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 47А 2.7Вт
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 47А
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канальный
CSD17308Q3T
Транзистор полевой N-канальный 30В VSON 8
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 13A(Ta),47A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 10.3 мОм @ 10А, 8В
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 250 µA
Заряд затвора: 5.1нКл @ 4.5В
Входная емкость: 700пФ @ 15В
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17309Q3
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 5.4 мОм
Мощность макс.: 2.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.7В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 1440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17310Q5A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A/100А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: VSON8-HR
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 21А/100А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17312Q5
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 38A
Сопротивление открытого канала: 1.5 мОм
Мощность макс.: 3.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 36нКл
Входная емкость: 5240пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2-Q1
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Заряд затвора: 2.7нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
CSD17313Q2Q1
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А
Производитель: Texas Instruments
Корпус: SON6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 2.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В
Заряд затвора: 2.7нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.