Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
BUK7Y3R5-40E,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Тип транзистора: N-канальный
Особенности: Standard
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7Y59-60EX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 17A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 59 мОм @ 5А, 10В
Мощность макс.: 37Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA
Заряд затвора: 7.8нКл @ 10В
Входная емкость: 494пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK7Y7R6-40EX
Транзистор полевой N-канальный 40В 79A Aвтомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 79A
Сопротивление открытого канала: 7.6 мОм
Мощность макс.: 94.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26.2нКл
Входная емкость: 1650пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9212-55B,118
Транзистор полевой N-канальный 55В 75A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 167Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 3519пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK92150-55A,118
Полевой транзистор N-канальный 55В 11A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 36Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 338пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9217-75B,118
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 64 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
BUK9222-55A,118
Полевой транзистор N-канальный 55В 48A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 48A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 103Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Входная емкость: 2210пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9226-75A,118
Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 45 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 45A
Сопротивление открытого канала: 24.6 мОм
Мощность макс.: 114Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Входная емкость: 3120пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9230-100B,118
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 47 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 28 мОм
Мощность макс.: 167Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 33нКл
Входная емкость: 3805пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9237-55A,118
Транзистор полевой N-канальный 55В 32A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 32A
Сопротивление открытого канала: 33 мОм
Мощность макс.: 77Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 17.6нКл
Входная емкость: 1236пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9240-100A,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 33A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 38.6 мОм
Мощность макс.: 114Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Входная емкость: 3072пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9275-100A,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 21.7A DPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 21.7A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 72 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 88Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Входная емкость: 1690пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9277-55A,118
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 18 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 69 мОм
Мощность макс.: 51Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 11нКл
Входная емкость: 643пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9606-40B,118
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 75 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
BUK9608-55B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.: 203Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA
Заряд затвора: 45нКл @ 5В
Входная емкость: 5280пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9611-80E,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 75A D2PAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 80В
Ток стока макс.: 75A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.: 182Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 48.8нКл @ 5В
Входная емкость: 7149пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9614-60E,118
Транзистор полевой N-канальный 60В 56A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 56A
Сопротивление открытого канала: 12.8 мОм
Мощность макс.: 96Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 20.5нКл
Входная емкость: 2651пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9615-100A,118
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2PAK/TO263
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.