Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (6822)
BSZ42DN25NS3G Полевой транзистор N-канальный 250В 5A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 5A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BSZ900N20NS3G Полевой транзистор N-канальный 200В 15.2A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.2A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-5 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 170Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount
BTS282ZE3180AATMA2 Транзистор полевой N-канальный 49В 80A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO263-7 Напряжение исток-сток макс.: 49В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 232нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Surface Mount
BTS282ZE3230AKSA2 Полевой транзистор, N-канальный, 49 В, 80 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-7 Напряжение исток-сток макс.: 49В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 232нКл Входная емкость: 4800пФ Тип монтажа: Through Hole
BUK6207-55C,118 Полевой транзистор, N-канальный Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK
BUK6217-55C,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 80Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 33.8нКл Входная емкость: 1950пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK6D230-80EX Производитель: NEXPERIA
BUK6D43-60EX Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5A автомобильного применения 6-Pin DFN-MD EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
BUK7212-55B,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А Производитель: NEXPERIA Корпус: D-Pak (TO-252AA)
BUK7215-55A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 55 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2107пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK72150-55A,118 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 11 А Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK
BUK7219-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 55A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 55A Сопротивление открытого канала: 19 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2108пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7227-100B,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 48A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 48A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 2789пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7240-100A,118 Транзистор полевой N-канальный 100В 34A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 34A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 114Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 2293пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7277-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 18A Производитель: NEXPERIA Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 77 мОм Мощность макс.: 51Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 422пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK7606-75B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.6 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 7446пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK7607-55B,118 Полевой транзистор N-канальный 55В 119A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263
BUK7608-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 254Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 76нКл @ 0В Входная емкость: 4352пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
BUK7613-100E,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 72A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 72A(Tc) Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 182Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 1mA Заряд затвора: 97.2нКл @ 10В Входная емкость: 4533пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"