Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (389)
FQD6N25TM Транзистор полевой N-канальный 250В 4.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD6N40CTM Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 625пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD6N50CTM Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7N10LTM Транзистор полевой N-канальный 100В 5.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 290пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7N20LTM Транзистор полевой N-канальный 200В 5.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 500пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7N30TM Полевой транзистор, N-канальный, 300 В, 5.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 5.5A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7P06TM Транзистор полевой P-канальный 60В 5.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A Сопротивление открытого канала: 451 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 295пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD7P20TM Транзистор полевой P-канальный 200В 5.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-252-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 690 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD8P10TM Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD8P10TM_F085 Транзистор полевой P-канальный 100В 6.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.6A Сопротивление открытого канала: 530 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 470пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQD9N25TM Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 7.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 7.4A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 700пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQT2P25TF Полевой транзистор, P-канальный, 250 В, 0.55 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 550мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQT3P20TF Транзистор полевой P-канальный 200В 0.67A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 670мА Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8нКл Входная емкость: 250пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQT4N25TF Транзистор полевой N-канальный 250В 0.83A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT223-4 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 830мА Сопротивление открытого канала: 1.75 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5.6нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQU11P06TU Транзистор полевой P-канальный 60В 9.4A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU13N06LTU Транзистор полевой N-канальный 60В 11A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU1N60CTU Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU1N80TU Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1A IPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 1A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 7.2нКл @ 10В Входная емкость: 195пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FQU20N06LTU Транзистор полевой N-канальный 60В 17.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17.2A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 630пФ Тип монтажа: Through Hole
FQU2N100TU Транзистор полевой N-канальный 1000В 1.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 9 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.5нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"