Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (264)
IRFR210PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 2.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR210TRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 2.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 140пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR220NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5.0А 43Вт, 0.5 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
13 434 шт
Цена от:
от 17,67
IRFR220PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR220TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.8A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 4.8A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 260пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 144Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 38нКл Входная емкость: 1710пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
100 шт
Цена от:
от 396,94
IRFR9210PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 1.9A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9210TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 1.9 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.9нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9220PBF Транзистор полевой P-канальный 200В 3.6А 42Вт, 1.5 Ом Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9220TRLPBF Транзистор полевой P-канальный 200В 3.6A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFR9220TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.6А 42Вт Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFR9N20DPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9.4А 86Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 662 шт
Цена от:
от 59,94
IRFS23N20DTRLP Транзистор полевой N-канальный 200В 24A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 100 мОм @ 14А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В @ 250 µA Заряд затвора: 86нКл @ 10В Входная емкость: 1960пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS31N20DTRLP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFS38N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43А 320Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A Сопротивление открытого канала: 54 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 913 шт
Цена от:
от 142,47
IRFS38N20DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 43A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 43A(Tc) Сопротивление открытого канала: 54 мОм @ 26А, 10В Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 91нКл @ 10В Входная емкость: 2900пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFS4020TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 18A(Tc) Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 11А, 10В Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 29нКл @ 10В Входная емкость: 1200пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFS4127PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 72А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 72A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
3 474 шт
Цена от:
от 113,86
Акция IRFS4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 62A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 372 шт
Цена от:
от 109,04
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"