Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (242)
Акция STB8N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 600 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 690пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD11N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 9 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD12N65M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
STD12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 430 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Surface Mount
STD18N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount
STF10N65K3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 10 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Through Hole
STF11N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 9A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 480 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 644пФ Тип монтажа: Through Hole
STF12N65M5 MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 430 мОм @ 4.3А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 900пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STF15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 816пФ Тип монтажа: Through Hole
STF15NM65N Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 33.3нКл Входная емкость: 983пФ Тип монтажа: Through Hole
STF18N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 15A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Through Hole
STF20N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 18 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1345пФ Тип монтажа: Through Hole
STF38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole
STF45N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 35A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 3375пФ Тип монтажа: Through Hole
STF57N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 42A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 63 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Through Hole
STF6N65K3 MOSFET N-CH 650V 5.4A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5.4A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом @ 2.8А, 10В Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 50 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 880пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
STF7N65M2 MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.15 Ом @ 2.5А, 10В Мощность макс.: 20Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 9нКл @ 10В Входная емкость: 270пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STF8N65M5 MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 7A(Tc) Сопротивление открытого канала: 600 мОм @ 3.5А, 10В Мощность макс.: 25Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 15нКл @ 10В Входная емкость: 690пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
STFW69N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 58 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 143нКл Входная емкость: 6420пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"