Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1890)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (358)

FDD4685 Транзистор полевой N-канальный 40В 32А 27 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4685-F085 Полевой транзистор P-канальный 40В 32A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD4685_F085 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 32 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8444 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 145 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 145A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 153Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 6195пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8444L_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 153Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5530пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8445 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4050пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8447L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 44Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 15.2A Сопротивление открытого канала: 8.5 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8451 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 30Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 990пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8647L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD9407_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 100 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 6390пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD9409_F085 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 3130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA8051L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 6-MLP Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 1260пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8015L Транзистор полевой N-канальный 40В 7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 19нКл Входная емкость: 945пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8032L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7A 8-Pin MLP EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8321L Полевой транзистор, N-канальный, 44 В, 22 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8327L Транзистор полевой N-канальный 40В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 8-MLP (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 9.7 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8360L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 80A POWER33 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 27A(Ta),80A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 27А, 10В Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 80нКл @ 10В Входная емкость: 5795пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8462 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 14 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 2660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMD8240L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A 12-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 23А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS8320L Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 36 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 1.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 170нКл Входная емкость: 11110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"