Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
AUIRFS4010-7TRL
Транзистор полевой N-канальный 100В 190A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 190A
Сопротивление открытого канала: 4 мОм
Мощность макс.: 380Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 230нКл
Входная емкость: 9830пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4310
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 75A
Сопротивление открытого канала: 7 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 250нКл
Входная емкость: 7670пФ
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4410ZTRL
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DВІPAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 97A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 58А, 10В
Мощность макс.: 230Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA
Заряд затвора: 120нКл @ 10В
Входная емкость: 4820пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS4610
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73A D2PAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 73A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 44А, 10В
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA
Заряд затвора: 140нКл @ 10В
Входная емкость: 3550пФ @ 50В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFSL4010
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 180A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA
Заряд затвора: 215нКл @ 10В
Входная емкость: 9575пФ @ 50В
Тип монтажа: Through Hole
AUIRLR120N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 185 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.: 48Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA
Заряд затвора: 20нКл @ 5В
Входная емкость: 440пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRLR3410
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D-Pak
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.: 79Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA
Заряд затвора: 34нКл @ 5В
Входная емкость: 800пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
AUIRLS4030-7P
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 190 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO263-7
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 190A
Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм
Мощность макс.: 370Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 140нКл
Входная емкость: 11490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSC027N10NS5ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A 8-Pin TSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 23А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSC098N10NS5ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 60А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSC160N10NS3GATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.8A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 8.8А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSC196N10NSGATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.5A автомобильного применения 8-Pin TDSON EP лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 8.5А
Тип транзистора: N-канальный
Тип монтажа: Surface Mount
BSP322PH6327
Транзистор полевой P-канальный 100В 1A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.