Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (33)
AUIRFR8401TRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100А Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 872 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 163,17
Акция IRFR3709ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 86А Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
6 069 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
473 шт
Цена от:
от 43,60
IRLU3410PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
99 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 36,81
Акция IRF3709ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 87А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 87A Сопротивление открытого канала: 6.3 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
239 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 50,78
IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
511 шт

Под заказ:
25 000 шт
Цена от:
от 22,97
Акция IRFR3711ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 93A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 93A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.45В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2160пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
37 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 96,26
IRFR3910TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 16A 52Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 310 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 38,81
IRL530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
599 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 224,97
IRLR3410TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
361 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
291 шт
Цена от:
от 45,79
IRLR3410TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 105 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
291 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
361 шт
Цена от:
от 41,65
IRLR9343TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 20А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
215 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 92,86
Акция IRLU9343PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 20А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 20A Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал
Наличие:
3 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 25,31
Акция AUIRFR8401 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 79Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 2200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 872 шт
Цена от:
от 63,35
AUIRFU8401 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100A IPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: I-Pak Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.25 мОм @ 60А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 500 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 2200пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AUIRLR3410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D-Pak Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 105 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 34нКл @ 5В Входная емкость: 800пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
CSD18537NKCS Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Texas Instruments Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Through Hole
FDD8445 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 70 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 70A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 59нКл Входная емкость: 4050пФ Тип монтажа: Surface Mount
FQP17P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole
Новинка FQP30N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 945пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FQP30N06L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1040пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"