Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (33)

CPC3701CTR Полевой транзистор N-канальный 60В 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

SOT-89-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Depletion Mode

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5632N_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

475пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

632пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT434P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1187пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.3A

Сопротивление открытого канала:

45 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FDT458P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.4А 0.13 Ом, 3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.4A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

3.5нКл

Входная емкость:

205пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDT459N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

365пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IXTY01N100D Полевой транзистор N-канальный 1000В 0.1A TO-252AA

Производитель:

IXYS Corporation

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

1000В (1kВ)

Ток стока макс.:

100мА(Tc)

Сопротивление открытого канала:

110 Ом @ 50mА, 0В

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Depletion Mode

Входная емкость:

120пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT014 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

155пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT014L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-4

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.8A

Сопротивление открытого канала:

160 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

214пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT2955 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.5А 3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.5A

Сопротивление открытого канала:

300 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

601пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT3055 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 4 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT3055L Транзистор полевой N-канальный 60В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

345пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT451AN Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 7.2 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.2A

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

720пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT452AP Транзистор полевой P-канальный 30В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.8В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

690пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT454P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 5.9 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.9A

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.7В

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

950пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDT456P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.5 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

7.5A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

67нКл

Входная емкость:

1440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHD3101FT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

ChipFET[тм]

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.2A

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

7.4нКл

Входная емкость:

680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

SI3443BDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.4А 1.1Вт

Производитель:

Vishay

Корпус:

TSOP-6

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.4В

Заряд затвора:

9нКл

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8424CDB-T1-E1 Полевой транзистор, N-канальный, 8 В

Производитель:

Vishay

Корпус:

Microfoot4

Напряжение исток-сток макс.:

8В

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Особенности:

Logic Level Gate, 1.2V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

800mВ

Заряд затвора:

40нКл

Входная емкость:

2340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"