Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (105)
IRF5210STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 230нКл Входная емкость: 2780пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
10 829 шт

Под заказ:
9 260 шт
Цена от:
от 69,35
YJS05N06A Транзистор полевой MOSFET 2N-канальный 60В 5A 3.1Вт Производитель: YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD. Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канальный
Наличие:
1 263 шт

Под заказ:
3 523 шт
Цена от:
от 10,55
Акция IRF7822TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 5500пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
930 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 53,99
IRF9540NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 23A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 117 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
843 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 65,71
Акция IRFB31N20DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 31A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 82 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 107нКл Входная емкость: 2370пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
148 шт

Под заказ:
53 000 шт
Цена от:
от 163,05
IRFH9310TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 5250пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
600 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 89,79
AO4403 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6A 8SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A(Ta) Сопротивление открытого канала: 46 мОм @ 6.1А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В @ 250 µA Заряд затвора: 11.3нКл @ 4.5В Входная емкость: 1128пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AO4407A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 2600пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 105 шт
Цена от:
от 8,99
AO4411 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 32 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO4423 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 17А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.6В Заряд затвора: 57нКл Входная емкость: 3033пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO4425 Полевой транзистор P-канальный 38В 14A 8-Pin SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 38В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 63нКл Входная емкость: 3800пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO4435 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10.5А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
25 677 шт
Цена от:
от 7,16
AO4447A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 17A 8-SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A(Ta) Сопротивление открытого канала: 7 мОм @ 17А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В @ 250 µA Заряд затвора: 105нКл @ 10В Входная емкость: 5500пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AO4459 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 6.5A 8SOIC Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 46 мОм @ 6.5А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 830пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AO4468 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.6А Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
AO4498 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 44.5нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount
AON7296 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A(Ta),12.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 66 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В @ 250 µA Заряд затвора: 12нКл @ 10В Входная емкость: 415пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
AON7410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A(Ta),24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 12нКл @ 10В Входная емкость: 660пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON7422E Полевой транзистор N-канальный 30В 40A 8-Pin DFN-A EP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta),40A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2940пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
CSD16322Q5 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 5 мОм Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 9.7нКл Входная емкость: 1365пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"