Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (36)
Акция IRF2807PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 82A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3820пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
4 888 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 46,71
IRF1405ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 180нКл Входная емкость: 4780пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
230 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 115,54
IRF2807STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 82A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3820пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
206 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 125,92
IRFB3306GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4520пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
9 000 шт
Цена от:
от 71,11
IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
506 шт

Под заказ:
5 200 шт
Цена от:
от 57,33
IRFB3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
355 шт

Под заказ:
10 000 шт
Цена от:
от 92,48
IRFB4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4820пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 646 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 51,44
IRFB7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
1 754 шт

Под заказ:
9 300 шт
Цена от:
от 58,57
IRFB7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 173A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 7020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
159 шт

Под заказ:
2 500 шт
Цена от:
от 46,53
Акция IRFP7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 172A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 172A Сопротивление открытого канала: 3.3 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 7020пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
296 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 170,75
Акция IRFS3306TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 4520пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
152 шт

Под заказ:
9 600 шт
Цена от:
от 152,42
IRFS4410ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 58А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4820пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
692 шт

Под заказ:
300 шт
Цена от:
от 120,16
Акция IRL1404ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 5080пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
278 шт

Под заказ:
195 шт
Цена от:
от 193,09
IRLB3813PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 230Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 260A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 8420пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
487 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 108,26
STW12NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11А 230Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 880 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 152нКл Входная емкость: 3500пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
900 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 194,47
AUIRF2807 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 3820пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRFB8407 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRFS4410ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 97A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 58А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 4820пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFS8407TRL Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 225нКл Входная емкость: 7330пФ Тип монтажа: Surface Mount
BUK9615-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A D2PAK Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 1mA Входная емкость: 8600пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"