Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1889)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (24)

IPW90R120C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 36A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 417Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 6800пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

153 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 392,16₽

BSH108,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.9А 0.83Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 190пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

964 шт

Под заказ:

150 000 шт

Цена от:

от 9,43₽

NX2301P,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 170 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 7,36₽

FDD120AN15A0 Транзистор полевой N-канальный 150В 14A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 65Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P853 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG315N Транзистор полевой N-канальный 30В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDH44N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 44A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 44A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 750Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 108нКл Входная емкость: 5335пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDH45N50F_F133 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 45 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 45A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 625Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 137нКл Входная емкость: 6630пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDT3612 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 632пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP17P06 Транзистор полевой P-канальный 60В 17A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTF3055L108T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.37A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-70-3 (SOT323) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.37A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 329мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVF3055L108T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PHK04P02T,518 Полевой транзистор, P-канальный, 16 В, 4.66 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 16В Ток стока макс.: 4.66A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 7.2нКл Входная емкость: 528пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PMXB120EPEZ Транзистор полевой P-канальный 30В 2.4A Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 309пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301-TP Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Micro Commercial Components Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 1.25Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STW26NM50 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 313Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 106нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

ZXMN2A01FTA Транзистор полевой N-канальный 20В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 625мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 3нКл Входная емкость: 303пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"