Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (44)
IRFL4310TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 816 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 26,03
Акция IRLMS6702TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro6 (SOT23 6L) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 8.8нКл Входная емкость: 210пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 459 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 6,68
BSH105,215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.05A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.05A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 417мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 570mВ Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 152пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 284 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 18,15
Акция IRF520NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7А 48Вт, 0.20 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Isolated Tab Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
2 016 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 42,04
Акция IRF520NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 9.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
113 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 92,85
IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
511 шт

Под заказ:
25 000 шт
Цена от:
от 22,97
IRF9530NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 760пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
505 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 53,04
BSH105,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.05A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.05A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 417мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 570mВ Заряд затвора: 3.9нКл Входная емкость: 152пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
2 284 шт
Цена от:
от 18,15
FDMC2610 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN336P Транзистор полевой P-канальный 20В 1.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF9540PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19А 150Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRF9540SPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 19A 150Вт Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRF9540STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A Производитель: Vishay Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 3.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: DIP-4 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFI9540GPBF Транзистор полевой P-канальный 100В 11А 48Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 48Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Through Hole
IRFIZ14GPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 27Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFL014PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFL014TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А 2.0Вт, 0.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция IRFL4310PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт, 0.2 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
15 632 шт
Цена от:
от 26,03
IRFM120ATF Транзистор полевой N-канальный 100В 2.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"