Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (36)
Акция SPA11N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 34Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 33Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
279 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 229,44
SPP11N60C3XKSA1 Транзистор полевой 600В 11A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
208 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 208,59
STB13N60M2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 110Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) type A Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
757 шт

Под заказ:
410 шт
Цена от:
от 98,69
STB14NK50ZT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
200 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 221,08
STP14NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
204 шт

Под заказ:
394 шт
Цена от:
от 111,28
STP14NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
179 шт

Под заказ:
10 шт
Цена от:
от 173,28
STW14NK50Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 14А 150Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 150Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 92нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
267 шт

Под заказ:
140 шт
Цена от:
от 252,58
Акция FCD380N60E Транзистор полевой N-канальный 600В 10А 106Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 106Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1770пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция FCP11N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция FCP11N60F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole
FCPF11N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 11A TO220F Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Through Hole
FDA16N50_F109 Транзистор полевой N-канальный 500В 16.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16.5A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 205Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1945пФ Тип монтажа: Through Hole
FDB15N50 Транзистор полевой N-канальный 500В 15A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1850пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDPF16N50 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 16 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 38.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1945пФ Тип монтажа: Through Hole
FQA19N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 18.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Through Hole
IPD50R380CEATMA1 Полевой транзистор N-канальный 500В 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 73Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 24.8нКл Входная емкость: 584пФ Тип монтажа: Surface Mount
IPP50R380CEXKSA1 Транзистор полевой N-канальный 550В 10.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 73Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Super Junction Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 24.8нКл Входная емкость: 584пФ Тип монтажа: Through Hole
Акция IRFR9N20DPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 9.4А 86Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 9.4A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 86Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 662 шт
Цена от:
от 59,94
PMV450ENEAR Транзистор полевой N-канальный 60В 0.8A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 323мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 3.6нКл Входная емкость: 101пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMZB290UNE,315 Полевой транзистор N-канальный 20В 1A 3-Pin DFN-B лента на катушке Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 0.68нКл Входная емкость: 83пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"