Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)
Through Hole (1889)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

IRFB4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

4 370 шт

Под заказ:

1 100 шт

Цена от:

от 84,39₽

IRFP2907PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 177А 330Вт, 0.0045 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 209A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 470Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 620нКл Входная емкость: 13000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

314 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 350,86₽

Акция

IRF2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 330Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

157 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 235,47₽

Акция

IRF2907ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 160A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

56 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 468,42₽

IRFB3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 180A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

0 шт

Под заказ:

10 000 шт

Цена от:

от 106,66₽

IRFP2907ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 90А 310Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

400 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 500,41₽

IRFP4110PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 370Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9620пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

502 шт

Под заказ:

10 000 шт

Цена от:

от 183,54₽

AUIRFP2907 Транзистор полевой N-канальный 75В 90A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 90A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 470Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 620нКл Входная емкость: 13000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

CSD16340Q3 Транзистор полевой N-канальный 25В 60A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 9.2нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB045AN08A0 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 90 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 310Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 6600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDI045N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 263Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP045N10A_F102 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 263Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDPF045N10A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 67 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 67A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 5270пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDS8813NZ Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 18.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 18.5A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 4145пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8840NZ Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 18.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 18.6A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 144нКл Входная емкость: 7535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF2907ZSPBF Транзистор полевой N-канальный 75В 75А 300Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 160A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 270нКл Входная емкость: 7500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

56 шт

Цена от:

от 468,42₽

IRFS3207PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 170A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 170A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 260нКл Входная емкость: 7600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR7833PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 140А 140Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 140A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 4010пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 448 шт

Цена от:

от 60,66₽

SI4122DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 27.2 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 27.2A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4442DY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 40В 7.2A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67165 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"