Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1890)
Surface Mount (3523)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (31)

Акция

IRFP3710PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 51А 180Вт, 0.028 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 57A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

7 655 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 122,14₽

Новинка

STT6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 3.6нКл Входная емкость: 283пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

913 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 39,90₽

IRFP4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 330Вт, 0.021 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 65A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 330Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 487 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 167,45₽

Акция

STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 2x2 Напряжение исток-сток макс.: 30В Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 3.6нКл Входная емкость: 283пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 11,93₽

DMG3414U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 829.9пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG3414UQ-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 829.9пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG6968U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 810мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 151пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP4025LK3-13 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 6.7 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 33.7нКл Входная емкость: 1640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC655BN Транзистор полевой N-канальный 30В 6.3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 570пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86102LZ Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1305пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS86250 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 6.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 36нКл Входная емкость: 2330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

HUF75639G3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 56 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639P3 Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

HUF75639S3ST Транзистор полевой N-канальный 100В 56A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 56A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 200Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807APBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 17нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VD1PBF Полевой транзистор N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7807VTRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 8.3A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.3A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 14нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFB59N10DPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFI4227PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 47А 46Вт, 0.021 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 46Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.6783 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"